“后摩爾時代"是指隨著摩爾定律逐漸接近物理極限，半導體行業(yè)進入一個新的發(fā)展階段。在后摩爾時代，半導體行業(yè)有三大主要技術方向：
一、新材料
二維材料
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）
二、新架構
三維集成
異構集成
三、新工藝
極紫外光刻（EUV）技術的深化應用
特點：極紫外光刻技術使用波長極短（如 13.5 納米）的極紫外光進行光刻，能夠實現更小的芯片特征尺寸。它比傳統(tǒng)的深紫外光刻技術精度更高，可以制造更小的晶體管。
應用前景：目前 EUV 技術是先進制程芯片制造的關鍵技術，未來隨著技術的進一步發(fā)展，它將能夠制造更小尺寸的芯片，比如 3 納米、2 納米甚至更小制程的芯片，從而推動半導體行業(yè)繼續(xù)向高性能、低功耗方向發(fā)展。
原子層沉積（ALD）技術
這三大技術方向相互配合，共同推動后摩爾時代半導體行業(yè)的發(fā)展，使其能夠突破傳統(tǒng)技術的限制，滿足日益增長的高性能、低功耗、小尺寸等需求。
更新時間：2025-06-12 
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